В Китае изобрели чип флэш-памяти с кремнием атомной толщины, сообщили СМИ

Это открытие обещает значительно увеличить скорость и энергоэффективность обработки данных для искусственного интеллекта, а также может стать новым стандартом в области памяти, сообщает китайская газета China Daily.

Команда ученых из Фуданьского университета стоит за разработкой этого чипа, их исследование уже опубликовано в престижном научном журнале Nature. Этот успех открывает новые перспективы для развития технологий и повышения эффективности вычислений в сфере искусственного интеллекта. Новый чип флэш-памяти может стать ключевым элементом в создании более мощных и умных устройств, способных обрабатывать огромные объемы информации с высокой скоростью и точностью.

"Согласно информации, опубликованной в China Daily, новый чип, объединивший ультрабыстрое устройство флэш-памяти с комплементарной структурой металлооксидного полупроводника на основе кремния, представляет собой прорыв в области технологии CMOS. Этот чип не только поддерживает восьмибитные командные операции и 32-битные высокоскоростные параллельные операции, но и обеспечивает произвольный доступ, что значительно повышает производительность ячейки памяти до 94,3%."

"Особенностью новой разработки является превосходство скорости работы чипа над современными технологиями флэш-памяти. Это делает данный чип первой инженерной реализацией гибридного флэш-чипа на основе 2D кремния, открывая новые перспективы в области электроники и информационных технологий."

"Инновационное сочетание технологий в новом чипе обещает улучшить эффективность и скорость работы устройств, использующих его, и стать важным шагом в развитии современных вычислительных систем."

С развитием технологий искусственного интеллекта возросла потребность в увеличении скорости доступа к данным. Существующие технологии ограничены в передаче информации и требуют высокого энергопотребления. Из-за этого возникает необходимость в поиске новых методов обработки данных.

Отмечается, что чипы, используемые в современной электронике, обычно изготавливаются из кремния и имеют толщину пластин в несколько сотен микрон. Однако существуют и более тонкие чипы, толщина которых может быть всего в несколько десятков нанометров. Современные двухмерные полупроводниковые материалы имеют толщину всего в один атом, что составляет менее 1 нанометра. Это открывает новые перспективы для развития более компактных и энергоэффективных устройств.

Согласно информации на сайте университета, использование двухмерных материалов в производстве чипов может значительно увеличить скорость передачи данных и снизить энергопотребление. Это позволит создать более эффективные и мощные устройства, способные обрабатывать информацию быстрее и энергоэкономичнее.

Новое построение материалов, представленное двумерными полупроводниками, пока не нашло своего места на заводах, производящих интегральные микросхемы по всему миру. Эту точку зрения высказал глава исследовательской группы Чжоу Пэн, и его высказывание приводит сайт университета.

Важным этапом в развитии проекта станет сотрудничество ученых с технологическими компаниями. Совместные усилия направлены на внедрение новой технологии, которая, как они надеются, перевернет привычную архитектуру памяти. Это, в свою очередь, позволит обрабатывать данные для технологий искусственного интеллекта и анализа больших данных более быстро и энергоэффективно.

Источник и фото - ria.ru